6월 15일 네이처 나노테크놀로지지에 연구논문 소개
                                     차세대 소형화 기억장치의 新기원 열어

□ 교육과학기술부는 국내연구진이 미래 대용량 기억장치의 소형화 문제를 해결해 줄 것으로 기대되고 있는 나노전자소자의 자기저항 효율을 만배 이상 증대시키는 기술을 개발했다고 6.15일 밝혔다. 연구의 주요내용은 단일층 그래핀 나노리본을 이용하여 현재 최고 수백%인 자기저항 효율을 수백만%로 증대시키는 수퍼자기현상 예측에 관한 것으로서, 국제학계의 비상한 관심 속에 권위있는 과학학술지 네이처 나노테크놀로지(Nature Nanotechnology) 6월 15일자 온라인 판에 게재되었다.
  
□ 이같은 쾌거는 교육과학기술부의 글로벌연구실(Global Research Lab)사업의 일환으로 나노소재 및 미래형 나노 전자․광학 소자 설계 및 개발연구를 수행하고 있는 포항공과대학교 화학과 김우연(29) 박사과정생 과 김광수(金光洙, 58) 교수의 공동연구로 이루어진 것으로서, 金 교수팀의 연구 성과는 향후 컴퓨터 하드디스크 등 기억장치의 대용량화, 소형화에 크게 기여할 것으로 기대되고 있다.

□ 김 교수팀이 제안한 스핀밸브 소자는 종래의 것과는 전혀 다르게 그래핀 나노리본의 고유한 대칭성에 의한 전자 파동함수 간의 간섭효과를 외부 자기장을 통해 조절함으로써 자기저항을 극대화 하는 것이다. 이는 지금까지 보고되지 않은 새로운 자기 저항 메커니즘으로써 수퍼자기저항 (SMR)이라 할 수 있다. 이렇게 종래의 기술과는 차별되는 메커니즘으로 수퍼자기저항을 가지는 스핀밸브 소자의 개발은 새로운 물리현상을 보여줌과 동시에 기존의 기술 장벽을 넘어 혁신적인 미래지향적 정보저장 장치 및 전자소자 개발 등에 획기적인 발전을 가져올 것으로 기대된다.

□ 이번 연구결과는 포스텍 김광수 교수(교신저자)의 주도 하에 박사과정생 김우연 (제1저자)씨가 일구어낸 성과로서, 이 연구 결과는 추후 글로벌연구실사업의 해외공동연구책임자인 필립 김(Philip Kim, 미국 콜럼비아대) 교수가 함께 실험으로 연계하는 실질적 국제공동연구의 모범적인 모델로 자리매김할 예정이다.